化学机械抛光（CMP）
试验检测
已完结
面议
样品情况说明：规格：250nm上层硅/3um氧化层SOI，大小2cm*2cm处理结果：目前已在样品上做了波导结构，并在上表面沉积了一层厚的氧化硅（~1.5um）以做保护，但是由于波导结构的原因，片子的上表面并不平坦。目前样片横截面如图所示，台阶高度在300nm左右要求：采用CMP的方式，将表面磨平，尤其是在硅波导上方得到一个平整的上表面，预设步骤如下图所示：尺寸：要求硅波导上方的氧化层厚度尽可能的小（<20nm）
状态：已完结
发布日期：2021-01-25
暂未收到方案
