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CMP表面抛光去除多晶硅

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类别：试验检测

截止日期：2020-08-26 预算：面议 征集状态：已完结

样品说明：六寸硅片表面膜层依次为Si/SiO2/多晶硅，总厚度700微米，SiO2厚度2微米，顶层多晶硅2微米，硅片内部有结构，硅片结构强度较弱，要求加工过程吸片压力小，抛完的硅片要及时清洗干净 测试目的：采用CMP在基底为Si/SiO2六寸硅片上抛光Poly Si，要求表面粗糙度小，多晶硅去除完全露出SiO2

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发布日期：2020-06-17
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