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步进光刻机
提交方案截止日期：2019-07-25 预算：面议 征集状态：已完结
1: 基底：4/6 寸100 晶向晶圆，500~600um厚度，氧化层厚度300nm。
2：加工工序：氧化硅上涂胶，光刻，然后刻蚀300nm氧化硅至Si 基底。
3：光刻图形见掩膜设计GSD文件。0.5um 圆孔阵列。
4：光刻胶厚度1um 左右，光刻效果在镜检下正常，无过显影或者显影不到位。6寸晶圆上，圆孔阵列基本能完整:，不能出现整正梯形或者倒梯形。
5：刻蚀氧化硅需要CHF3等离子体，保证不发生横向刻蚀，也能保证光刻胶损耗较小，能维持后续的Si刻。
